STM32F103ZET6外部 SRAM新型存储之MRAM资讯126
STM32 外部 SRAM STM32F103ZET6 自带了 64K 字节的 SRAM,对一般应用来说,已经足够了,不过在一些对内存要求高的场合,STM32 自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑 GUI 等,就可能不太够用 IS62WV51216 简介 IS62WV51216 是 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc)公司生产的一颗 16 位宽 512K(512*16,即 1M 字节)容量的 CMOS 静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点: l 高速。具有 45ns/55ns 访问速度。 l 低功耗。 l TTL 电平兼容。 l 全静态操作。不需要刷新和时钟电路。 l 三态输出。 l 字节控制功能。支持高/低字节控制。 看看实现 IS62WV51216 的访问,需要对 FSMC进行哪些配置。 这里就做一个概括性的讲解。步骤如下: 1)使能 FSMC 时钟,并配置 FSMC 相关的 IO 及其时钟使能。 要使用 FSMC,当然首先得开启其时钟。然后需要把 FSMC_D0~15,FSMCA0~18 等相关IO 口,全部配置为复用输出,并使能各 IO 组的时钟。 使能 FSMC 时钟的方法: RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE); 对于其他 IO 口设置的方法前面讲解很详细,这里不做过多的讲解。 2)设置 FSMC BANK1 区域 3。 此部分包括设置区域 3 的存储器的工作模式、位宽和读写时序等。我们使用模式 A、16 位宽,读写共用一个时序寄存器。使用的函数是: void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct) 3)使能 BANK1 区域 3。 使能 BANK 的方法跟前面 LCD 实验也是一样的,这里也不做详细讲解,函数是: void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState); 通过以上几个步骤,我们就完成了 FSMC 的配置,可以访问 IS62WV51216 了,这里还需要注意,因为我们使用的是 BANK1 的区域 3,所以 HADDR[27:26]=10,故外部内存的首地址为 0X68000000。 |