韩国媒体 TheElec报道，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 存储器的MUF 技术，与 TC NCF 相较其传输量有所提升。据悉，MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV) 技术后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试...

日常选机大家往往关注64GB、128GB等存储空间，却很少像选笔记本关注SSD一样关注手机闪存规格。首先手机储存容量、固态硬盘（SSD）、U盘和SD卡等使用的都是一种叫做NAND的储存介质，NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。　　无论是eMMC还是UFS都是在NAND存储芯片的基础上，再加上了控制芯片，接入标准接口，进行...

一、NAND FlashNAND Flash全名为Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷，由于浮栅是电隔离的，所以即使在去除电压之后，到达栅极的电子也会被捕获。这就是闪存非易失性的原理所在。数据存储在这类设备中，即使断电也不会丢失。根据不同的纳米技术，NAND...

LPDDR5BIWIN LPDDR5LPDDR5支持多Bank Group模式，传输速率从4266Mbps提升至6400Mbps，多组电压动态调节，功耗降低30%；高性能、低功耗、更安全可靠和多容量选择，佰维LPDDR5内存方案将有效满足中高端智能手机、平板电脑、汽车等各种智能终端对内存芯片的需求。产品规格InterfaceLPDDR5Dimension12.4×15.0mmFrequenc...

BIWIN LPDDR4LPDDR4LPDDR全称是Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR的一种，主要以低功耗为特点。BIWIN Low Power DDR提供包括从高性能到高性价比的RAM解决方案。最新一代的LPDDR4具有比LPDDR3高50%的性能提升；同时，更低的功耗和更高的频率，让设备运行更加顺畅。产品规格InterfaceLPDDR 4 / L...

eMCP随着手机所用操作系统的程序代码容量变大，特别是随着Android操作系统的广泛流行，智能型手机对存储容量的更高要求，BIWIN eMCP是基于MCP(Multi-Chip Packaging；多芯片封装技术)的产品，采用eMMC芯片加一颗低功耗的DRAM方案，有效简化了客户产品的制造过程和开发成本，缩短终端产品的研发时间，加快终端产品上市。产品规格接口eMMC+LPDDR4X尺寸11...

BIWIN eMMCBIWIN eMMC凭借简练和先进的设计在短时间内进入市场，采用高性能主控芯片和稳定的NAND Flash，可在提高数据传输效率的同时，更稳定地实现更多、更快的多任务处理，可保证网页浏览、下载应用程序、高清视频回放、运行大型游戏时的流畅性。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得设备厂商能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产...

康芯威-KONSEMI_国产EMMC嵌入式存储芯片合肥康芯威存储技术有限公司(以下简称“康芯威”)成立于2018年11月,主营业务为“前沿存储技术开发、方案输出、芯片设计、半导体器件分销”,产品应用于电视、机顶盒、手机、智能汽车、数据中心等领域前沿存储技术开发方案输出芯片设计生产与销售eMMC5.1：产品介绍：    支持8GB至128GB，主要应用于手机、平板电脑、电视、机顶盒、智能穿戴、...

最近有很多客户在使用 SD NAND的时候都会问SD NAND与SPI NAND有什么区别，下面我们来一起了解下内部材质：主流SD NAND与SPI NAND基本上都是使用SLC NAND FLASH晶圆，擦写寿命可达5万-10万次；接口以及驱动程序：SD NAND正常接CPU是用SDIO接口，SPI NAND是接SPI接口使用，很多主流的CPU都是自带SDIO的驱动，因此使用SD NAND...

SD NANDSD NAND是储存卡的延伸，可直接贴片，又名贴片式TF卡、SD Flash 等，其内部集成高性能的闪存控制器，兼容 SD 协议，满足客户小型化、差异化、高可靠性的设计需求。SD NANDSD NAND是储存卡的延伸，可直接贴片，又名贴片式TF卡、SD Flash 等，其内部集成高性能的闪存控制器，兼容 SD 协议，满足客户小型化、差异化、高可靠性的设计需求。产品优势：小尺寸：...

HBM竞争格局与应用市场：三巨头垄断，受益于AI服务器市场增长。据TrendForce集邦咨询研究显示，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK 海力士（SK hynix）50%、三星（Samsung）约40%、美光（Micron）约10%。新思界预测2025E中国HBM需求量将超过100万颗。JEDEC定义三类DRAM标准：HBM属于细分图形DDR下述三种 DRAM 类别使用相同的 DRA...

由于处理器与存储器的工艺、封装、需求的不同，从1980年开始至今二者之间的性能差距越来大。有数据显示，处理器和存储器的速度失配以每年50%的速率增加。存储器数据访问速度跟不上处理器的数据处理速度，数据传输就像处在一个巨大的漏斗之中，不管处理器灌进去多少，存储器都只能“细水长流”。两者之间数据交换通路窄以及由此引发的高能耗两大难题，在存储与运算之间筑起了一道“内存墙”。着数据的爆 炸势增长，内...

方正证券指出，HBM产业链中TSV为核心工艺，电镀、测试、键合需求也将提升。AI算力需求增长打开HBM市场空间，预计至2026年市场规模将达127.4亿美元，CAGR达37%。11月17日周五，HBM概念股持续活跃，华海诚科、中富电路20CM涨停，壹石通涨超16%，联瑞新材、赛腾股份等跟涨。消息面上，AI引爆HBM存储芯片需求，英伟达新一代AI芯片H200搭载HBM3e，存储三大巨头争相推进...

HBM4将是未来市场上最先进的存储器。HBM技术是一种基于3D堆叠工艺的高性能DRAM，它可以为高性能计算、人工智能、数据中心等领域提供高带宽、高容量、低延迟和低功耗的存储解决方案。本文将介绍HBM技术的原理、优势、应用和发展趋势。01. HBM技术原理： 3D堆叠实现高密度存储HBM技术是一种将多层DRAM芯片通过硅通孔（TSV）和微型凸点（uBump）连接在一起，形成一个存储堆栈（sta...

Incorporating an innovative circuit design and advanced insulating material,Samsung’s new memory will be the first GDDR6 to deliver speeds up to 24GbpsCompliant with the latest GDDR industry standa...

GDDR6X: Bringing Gaming and AI to LifeMicron has created the world’s fastest discrete graphics memory solution: GDDR6X. Launched with NVIDIA on the GeForce® RTX™ 3090 and GeForce® RTX™ 3080 GPUs, G...

具有高级安全功能的新3.0V 1Gb-4Gb容量2KB/4KB页第一代串口（SPI）NAND和1Gb-2Gb容量2KB页第三代并行系列NAND，ML-3产品新州圣页何塞，20日20日——全球存储存储解决方案的领导者天海存储（SkyHigh Memory Limited）向市场推出其NAND系列3.0V 1Gb-4Gb容量4KB和2KB页ML3-产品。新的Gb-4Gb ML的3 SLC 1nm...

News HighlightsStarts supplying 16 GB mobile DRAM package to global smartphone makersLPDDR5T to be adopted in the latest smartphones along with MediaTek Dimensity 9300 mobile processor“Company to c...

News Highlights9.6Gbps product verified to be compatible with Qualcomm’s new Snapdragon mobile processorWith validation with global major partners completed, SK hynix to provide LPDDR5T to global s...

128GB CXL DRAM based on advanced CXL 2.0 interface to be mass produced this year, accelerating commercialization of next-generation memory solutionsSamsung will continue collaborating with global d...